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Vishay 威世

Vishay

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品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 13.2V 逻辑电压 :4V，7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:13ns，15ns 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：9V ~ 13.2V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-310
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥7.684000
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可供数量:咨询
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16TSSOP
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 13.2V 逻辑电压 :4V，7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:13ns，15ns 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：16-TSSOP
料号：P4-740
包装： 3000个/ 卷带（TR）
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品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
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替代：
驱动配置：高端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10.8V ~ 16.5V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-PDIP
料号：P4-2618
包装： 500个/ 散装
参考价格:￥7.684000
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品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-2646
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥7.684000
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输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：14-SOIC
料号：P4-2649
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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品牌： Vishay复制 Vishay 威世
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：14.5V ~ 17.5V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：24-SOIC
料号：P4-2651
包装： 1500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥7.684000
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可供数量:咨询
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG MLP33-10
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驱动配置：半桥
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料号：P4-2652
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品牌： Vishay复制 Vishay 威世
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
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栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-2653
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥7.684000
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品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 13.2V 逻辑电压 :4V，7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:13ns，15ns 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 16.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:500 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 16.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:500 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 16.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:500 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:30ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16.5V 逻辑电压 :1V，4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:40 V 上升/下降时间（典型值）:110ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16.5V 逻辑电压 :1V，4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:40 V 上升/下降时间（典型值）:110ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:14.5V ~ 17.5V 逻辑电压 :1V，4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:40 V 上升/下降时间（典型值）:110ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:14.5V ~ 17.5V 逻辑电压 :1V，4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:40 V 上升/下降时间（典型值）:110ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.5V，4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:900mA，1.1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:50 V 上升/下降时间（典型值）:32ns，36ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.5V，4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:900mA，1.1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:50 V 上升/下降时间（典型值）:32ns，36ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :1V，4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:800mA，1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:48 V 上升/下降时间（典型值）:45ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10.8V ~ 13.2V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-2654
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥7.684000
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